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MWI 200-06 A8
Diodes
Equivalent Circuits for Simulation
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
Conduction
I F25
I F80
T C = 25°C
T C = 80°C
260
165
A
A
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min. typ. max.
V F
I F = 200 A; V GE = 0 V; T VJ = 25°C
1.9
2.1
V
IGBT (typ. at V GE = 15 V; T J = 125°C)
V 0 = 1.1 V; R 0 = 6 m Ω
T VJ = 125°C
1.5
V
I RM
t rr
R thJC
I F = 120 A; di F /dt = -1000 A/μs; T VJ = 125°C
V R = 300 V; V GE = 0 V
(per diode)
56
100
A
ns
0.3 K/W
Free wheeling Diode (typ. at T J = 125°C)
V 0 = 1.1 V; R 0 = 2 m Ω
Thermal Response
Module
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T VJ
T JM
T stg
operating
-40...+125
+150
-40...+125
° C
° C
° C
V ISOL
M d
I ISOL ≤ 1 mA; 50/60 Hz
Mounting torque (M5)
2500
3-6
V~
Nm
IGBT (typ.)
C th1 = 0.397 J/K; R th1 = 0.131 K/W
C th2 = 2.243 J/K; R th2 = 0.049 K/W
Free wheeling Diode (typ.)
Symbol
Conditions
Characteristic Values
C th1 = 0.281 J/K; R th1 = 0.236 K/W
C th2 = 1.945 J/K; R th2 = 0.064 K/W
min. typ. max.
R pin-chip
1.8
m Ω
d S
d A
R thCH
Creepage distance on surface
Strike distance in air
with heatsink compound
10
10
0.01
mm
mm
K/W
Weight
300
g
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
20070912a
? 2007 IXYS All rights reserved
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